карта напряжений:
проц - 1,56в мерял на литах после дроселей
память - 2,5в мерял на мосфете Q38 в верхнем правом углу платы возле ДДР слотов
мост - 1,5в мерял на мосфете Q19 возле севера
АГП - 3,32в мерял на входе стаба на самой видяхе.
также на терминирующих резаках памяти присуцтвуєт 1,3в или около того.
Замыкание было между 89(земля)и 164 (2,5в) ногами конектора памяти. Мосфет стаба памяти менял - ни поведение ни напряжение не поменялось.
Смущяет отсуцтвие ресета на клаве, тогда как на самой матери он проходит (по бузеру)
Ваши мысли?
карта напряжений:
проц - 1,56в мерял на литах после дроселей
память - 2,5в мерял на мосфете Q38 в верхнем правом углу платы возле ДДР слотов
мост - 1,5в мерял на мосфете Q19 возле севера
АГП - 3,32в мерял на входе стаба на самой видяхе.
также на терминирующих резаках памяти присуцтвуєт 1,3в или около того.
Замыкание было между 89(земля)и 164 (2,5в) ногами конектора памяти. Мосфет стаба памяти менял - ни поведение ни напряжение не поменялось.
Смущяет отсуцтвие ресета на клаве, тогда как на самой матери он проходит (по бузеру)
Ваши мысли?