В чем существенная разница - при подключенной к бп и находящейся в режиме ожидания плате, на сдвоенный диод приходит 3,3В от 3,3DUAL, и CMOS память не сбрасывается, а на обесточенной плате идет питание на диод от батареи, и CMOS сбрасывается?
В чем существенная разница - при подключенной к бп и находящейся в режиме ожидания плате, на сдвоенный диод приходит 3,3В от 3,3DUAL, и CMOS память не сбрасывается, а на обесточенной плате идет питание на диод от батареи, и CMOS сбрасывается?