LGATEx-GND = затвор одиночного мосфета - земля = 902Ом (режим 2К) (или, если переключить в режим 20К, то 9,60)
LGATEx-PVCCx = затвор одиночного мосфета - сток двойного мосфета = 9800-10тыс Ом
UGATEx-PHASEx = затвор двойного мосфета - его исток или до стока одинарного мосфета = около или больше 10 тыс Ом
UGATEx-BOOTx = пришлось позоиться. контакты на шиме очень маленькие. 1 и 3 boot с краю и с него на все завторы верхних плеч 9600 ом, а boot2 птый контакт посередине - с него на все завторы верхних плеч 12тыс ом.
UPD: UGATE это, всё же, с одним транзистором. но от перемены не мняется.
единственно, что при замере в 3й группе, где выпаяны все 3 транзистора, переключение 2K -> 20K давала перемену от 760Ом до 9тыс Ом.
UPD2: я измерял напряжение на затворе верхнего (одиночного) транзистора.
при обрисованных в приложенной картинке данных, на затворе было 1,6-1,9В т.е. он не открывает затвор польностью.
LGATEx-GND = затвор одиночного мосфета - земля = 902Ом (режим 2К) (или, если переключить в режим 20К, то 9,60)
LGATEx-PVCCx = затвор одиночного мосфета - сток двойного мосфета = 9800-10тыс Ом
UGATEx-PHASEx = затвор двойного мосфета - его исток или до стока одинарного мосфета = около или больше 10 тыс Ом
UGATEx-BOOTx = пришлось позоиться. контакты на шиме очень маленькие. 1 и 3 boot с краю и с него на все завторы верхних плеч 9600 ом, а boot2 птый контакт посередине - с него на все завторы верхних плеч 12тыс ом.
UPD: UGATE это, всё же, с одним транзистором. но от перемены не мняется.
единственно, что при замере в 3й группе, где выпаяны все 3 транзистора, переключение 2K -> 20K давала перемену от 760Ом до 9тыс Ом.
UPD2: я измерял напряжение на затворе верхнего (одиночного) транзистора.
при обрисованных в приложенной картинке данных, на затворе было 1,6-1,9В т.е. он не открывает затвор польностью.