Исключительно для дебилов типа real-comp-master ... POST453358

real-comp-master писал(-а):

Ну давайте уж конкретику, в чём именно бред?

Исключительно для дебилов типа real-comp-master, которые не умеют читать и думать

.
По ссылке, которую привел real-comp-master, можно прочитать простое определение

Цитата:

The gate-source threshold voltage is the voltage that is required to conduct (usually) 100 uA of current into the drain. Different MOSFETs have different definitions and some devices define the threshold voltage at up to 1 mA drain current.

Можно найти и другие формулировки (по ссылке на Wikipedia, например, с картинками), но я специально использую именно ту максимально простую информацию, которую предоставил сам real-comp-master, но при этом не смог ее адекватно понять

.
V_GS(th) можно назвать "напряжением открытия" MOSFET'а с индуцированным каналом, хотя в более строгом варианте - это пороговое напряжение образования проводящего канала между стоком и истоком.
Условия I_D = 1 mA и V_DS = V_GS - не более, чем описание условий измерения для того, чтобы можно было сравнивать параметры разных транзисторов, хотя некоторые производители указывают разные значения тока, например.

real-comp-master писал(-а):

начинает открываться при 1.3, линейность начинается с 1.7 и максимум может снизить сопротивление на 2.15.

1.3V, 1.7V и 2.15V - это минимальное, типовое и максимально значение параметра V_GS(th) при T_j = 25 °C для PH9025L с учетом технологического разброса

. А бред, который написал real-comp-master, годится разве что для наполнения соответствующего сборника перлов

.
Термин "напряжение удержания" для MOSFET'а вряд ли можно будет использовать