VGS(th) можно назвать "напряжением открытия" MOSFET'а с индуцированным каналом, хотя в более строгом варианте - это пороговое напряжение образования проводящего канала между стоком и истоком
А внезапно пояснить что такое "индуцированный канал" можно?
Да, напряжением на гейте относительно сорса.
Цитата:
хотя в более строгом варианте - это пороговое напряжение образования проводящего канала между стоком и истоком
Ага, вот тото и оно! Я то говорю о напряжении открытия/удержания на терминалах канала дрэйн-сорс.
Там то тоже оно есть. Или нет? Там же нет прямой проводимости, она возникает от полевого эффекта. И канал проводимости должен образоваться под воздействием напряжения и тока.
Вот это то мне и не понятно, ГДЕ эти параметры, где зависимости ИХ напряжение открытия и удержания (VDS(th)) - от ТЕХ (VGS(th)), от того какой заряд накачан на гейт, или от того какое напряжение VGS(th).
Цитата:
1.3V, 1.7V и 2.15V - это минимальное, типовое и максимально значение параметра VGS(th) при Tj = 25 °C для PH9025L с учетом технологического разброса:).
Чиивооо? Какого разброса??? Это как?
Такой разброс?
А внезапно пояснить что такое "индуцированный канал" можно?
Да, напряжением на гейте относительно сорса.
Ага, вот тото и оно! Я то говорю о напряжении открытия/удержания на терминалах канала дрэйн-сорс.
Там то тоже оно есть. Или нет? Там же нет прямой проводимости, она возникает от полевого эффекта. И канал проводимости должен образоваться под воздействием напряжения и тока.
Вот это то мне и не понятно, ГДЕ эти параметры, где зависимости ИХ напряжение открытия и удержания (VDS(th)) - от ТЕХ (VGS(th)), от того какой заряд накачан на гейт, или от того какое напряжение VGS(th).
Чиивооо? Какого разброса??? Это как?
Такой разброс?