Вопрос по Gigabyte 8S661FXM-RZ и питанию DDR

APM-ку сменить на нечто работоспособное, хотябы в профилактических целях. Скорее всего поможет, если будет вести себя также то и W83301R в морг.

Так охота помочь всем и сразу,но возможности нет....Попробую создать траблшутинг в виде...Типа как в доках на матеря...Включается-да-нет,2е ветви дальше ветвления пошли...Чудовищная конструкция получится.
Огорчить никого не хочу.Есть мысль просто такая.
Spectre Прав,эти транзисторы с плат долй!

Highlander -Сами,думаю,понимаете,раз вывод двунаправленный,то как сама ИМС,таки любой другой компонент может быть инициатором ресета.
Тоесть,если инициатором ресета была не 83301,она может снять управляющие напруги с затворов полевиков во избежание....Сама она может стать инициатором,(по даташиту-Under-voltage Monitor),насколькоя понимаю,при понижении вых.напряжения,если не так,кто знает,поправьте,Что и может легко получиться при использовании Горячо любимых APM.
Если же в результате Ваших манипуляций Вы убедитесь в исправности этого узла,то скромно смею посоветовать Вам мой труд "почему мать в ресете"ссылка-http://rom.by/phpBB2/viewtopic.php?t=12135

spectre Спасибо. И сам думал об этом, просто флюса нет для фена, достать не могу, поэтому стараюсь лишний раз не впаивать ничего феном. Около слотов памяти этих АПМок столько...

BMW_HOUSE

Эх, знакомо...

Манипуляции долой,сначала теория, потом практика

Добавлено спустя 8 минут 32 секунды:

BMW_HOUSE Прочитал. Читал это уже раза три точно, да все равно жара + недосып оказывают влияние на мою голову... Когда на стоке было 0.4, на затворе был 0! Ну как я про это не подумал? Вот же бывает тормоз. Как бы там ни было, спасибо еще раз. Лови плюсик, BMW_HOUSE

Добавлено спустя 23 минуты 42 секунды:

Тааак... Стоит APM2014, ток стока 40 Ампер! Я поставлю пока что-нибудь Ампер на 20. Сколько вообще может кушать одна планка DDR? И не идет ли куда еще питание с этого чуда? Буду смотреть.

Я не ради плюса,Но..."Тааак... Стоит APM2014, ток стока 40 Ампер! Я поставлю пока что-нибудь Ампер на 20. Сколько вообще может кушать одна планка DDR? И не идет ли куда еще питание с этого чуда? Буду смотреть."-Главное,не только ток,но и сопротивление перехода в открытом состоянии,на сколько я понял,поэтому у меня и грелись транзисторы в стабильнике памяти,даже при замене на более мощные.
Питание с этих стабильников должно идти на вх-вых буфера Сев моста.
Для согласования,так-скать.

Никто и не говорит, что вы мне помогаете ради плюса, BMW_HOUSE .

Сопротивление полностью открытого канала важно в импульсных источниках питания (там, где полевик управляется ШИМом). В этом случае от этого сопротивления будет зависеть нагрев транзистора.

В линейном стабилизаторе, роль которого в простейшем случае выполняют транзистор и дифференциальный усилитель (как на этой и аналогичных платах), избыточное напряжения гасится самим транзистором. Транзистор и нагрузка соединены последовательно. На неинвертирующем входе дифусилителя - опорное напряжение с маломощного стабилизатора (в простейшем случае - 2 резистора с малым допуском); на инвертирующем - обратная связь (выход с транзистора - напряжение на нагрузке), возможно, через делитель напряжения; выход дифусилителя подключен к затвору (для полевого) или базе (для биполярного) транзистора, возможно, через сопротивление.

Дифусилитель усиливает разность напряжений между входами. На положительном входе напряжение не меняется. Если вдруг нагрузка стала потреблять меньший ток, то уменьшился и ток через транзистор, соединенный последовательно с нагрузкой. Значит, уменьшилось и падение напряжения на транзисторе и начало увеличиваться напряжение на нагрузке и на отрицательном входе дифусилителя. Последний тут же начнет закрывать транзистор, что приведет к увеличению его сопротивления, увеличению падения напряжения на открытом транзисторе и уменьшению напряжения на нагрузке.

Процесс протекает постоянно, стремясь свести к нулю разность напряжений между входами дифусилителя (или, что то же самое, между опорным напряжением и напряжением нагрузки).

Количество теплоты, выделяемое транзистором, по формуле из школьного курса физики:
Q=P*t=U*I*t , где
Q - количество теплоты, Джоулей;
P - мгновенная (для бесконечно малого промежутка времени) или средняя (в противном случае) мощность, потребляемая и выделяемая на транзисторе, Ватт;
U - падение напряжения на транзисторе (напряжение сток-исток или эмиттер-коллектор), Вольт;
I - ток через транзистор, Ампер;
t - промежуток времени, секунд;

Температура транзистора увеличится при увеличении количества теплоты, выделяемого транзистором. Температура транзистора также зависит от некоторых других факторов, например, от теплового сопротивления корпуса транзистора или теплового сопротивления между транзистором и платой, последняя для мощных SMD-транзисторов обычно является радиатором. (С заводов транзисторы часто припаиваются к плате не очень хорошо. При замене транзисторов я всегда заливаю площадку припоем, что в конечном итоге приводит к снижению температуры корпуса транзистора).

Из этого следует, что при увеличении тока нагрузки увеличится температура транзистора.

Кстати, принцип работы дифусилителя поясняет, почему на нерабочих (не пробитых) полевых транзисторах в случае, когда они стоят в последовательных линейных стабилизаторах, на затворе больше 10 вольт. Просто дифусилитель питается обычно с выхода +12 блока питания, соответственно, максимальное напряжения на его выходе может составлять чуть меньше 12 Вольт (из-за потерь в дифусилителе). Поврежденный транзистор не открывается как положено. Дифусилитель же увеличивает напряжение на затворе до максимально возможного, ожидая, когда же на нагрузке возрастет напряжение до напряжения опорного источника. Чего, как правило, так и не дожидается.

Иногда вместо дифусилителя используется управляемый источник опорного напряжения (или просто "управляемый стабилитрон"), чаще всего это TL431. В этом случае напряжение с выхода транзистора, чаще всего через делитель, подается на управляющий вход. При этом изменяется сопротивление стабилитрона и ток через него, следовательно, если анод подключить к общему проводу (GND), катод подключить к затвору или базе транзистора (возможно, через резистор), а также , катод через резистор к источнику напряжения (5 или 12В), то за счет падения напряжения на этом резисторе получим тот же последовательный линейный стабилизатор. В этом случае напряжение на выходе стабилизатора задается делителем на управляющем входе стабилитрона. При отсутствии делителя (в случае, если выходное напряжение стабилизатора прямо подается на управляющий вход TL431), TL431 будет стремиться уменьшить напряжение на катоде (точнее, напряжение катод - анод) до 2.5В и поддерживать его.

Понять, как реализован линейный стабилизатор в конкретном случае, можно, отследив, кула идет затвор или база управляемого транзистора.

Во, расписал. Вроде нигде не видел этого, думаю, найдутся люди, которым это будет полезно.

Сменил питатель памяти на 15N03H, ничего не поменялось. Ищу донора на Winbond'а.

На этих матерях обычно выходит из строя APM, который ниже Winbonda, в окружении 3 конденсаторов - Q55.

Yuzhakov Sergey Спасибо за подсказку, проверю. Просто смотрел осциллографом, на винбонде все было в порядке, 0.4В на памяти он был доволен.

Добавлено спустя 9 часов 9 минут 55 секунд:

Yuzhakov Sergey , спасибо еще раз. Транзистор явно труп. Просто принесли много матерей, вот я их толком и не смотрел...

А маркировочку можно запостить, для истории ...

МОСФЕТа? Ну по традиции, APM, 3055 кажись