Мне все равно не нравится цепь EN. Есть резистор, один конец идет на вход ШИМ и мосфет S702q для "просаживания" напряжения до низкого уровня. На мосфете мерял напряжение, на истоке 1.38В на затворе и стоке 0 (мультиметр позволяет мереть до десятых миливольта fluke177).
Простите, что опять вмешиваюсь, НО
Вы представляете механизм "просаживания"? Давайте представим - некий резистор, имхо, подключенный к 3,3в, создает высокий потенциал на EN (ибо неплохо отслеживать, куда "идет второй конец" ). Н-Мосфет (хм, вы согласились с моим предположением? в тексте от вас этого не увидел), который нужен "для просаживания", по идее, должен посадить этот высокий уровень с резистора на землю. Логично?
Подключаем к резистору мосфет, исток - на землю, сток - к точке высокого потенциала, созданного резистором, на затвор - управляющий сигнал. Схема работает? Да.
Теперь рассмотрим ваш вариант:
Цитата:
на истоке 1.38В на затворе и стоке 0
Где запятые? Допустим, вы имели в виду "на истоке 1.38В, на затворе и стоке 0", при таком вашем варианте работать будет? ? Исток как бы на земле, откуда там 1,38В? С терминологией и схемотехникой разберитесь для начала
freement писал(-а):
Простите, что опять вмешиваюсь, НО
Вы представляете механизм "просаживания"? Давайте представим - некий резистор, имхо, подключенный к 3,3в, создает высокий потенциал на EN (ибо неплохо отслеживать, куда "идет второй конец" ). Н-Мосфет (хм, вы согласились с моим предположением? в тексте от вас этого не увидел), который нужен "для просаживания", по идее, должен посадить этот высокий уровень с резистора на землю. Логично?
Подключаем к резистору мосфет, исток - на землю, сток - к точке высокого потенциала, созданного резистором, на затвор - управляющий сигнал. Схема работает? Да.
Теперь рассмотрим ваш вариант:
Где запятые? Допустим, вы имели в виду "на истоке 1.38В, на затворе и стоке 0", при таком вашем варианте работать будет? ? Исток как бы на земле, откуда там 1,38В? С терминологией и схемотехникой разберитесь для начала